Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik FEPDas Institut verfügt über zahlreiche industrienahe Anlagen zur Beschichtung großer Flächen in Batch-Anlagen, in-line oder im Rolle-zu-Rolle Verfahren sowie über Elektronenstrahl-Anlagen zur effizienten Bearbeitung von Oberflächen. In unseren Anlagen können Flachsubstrate aus Glas, Kunststoff oder Metall, flexible Oberflächen wie metallische Bänder oder Kunststofffolien sowie dreidimensionale Bauteile veredelt werden.
Anlagentechnik
Beschichtung von Flachsubstraten
Beschichtung von flexiblen Produkten
| novoFlex®600 | Pilotanlage für die Rolle-zu-Rolle-Beschichtung für flexible Materialien (bis zu einer Beschichtungsbreite von 600 mm), ausgestattet mit verschiedenen Vakuumtechnologien |
| coFlex® 600 | Pilotanlage für die Rolle-zu-Rolle-Beschichtung von flexiblen Materialien (bis zu einer Beschichtungsbreite von 600 mm), ausgestattet mit Sputtertechnologien |
| labFlex® 200 | Labor-Sputter-Anlage für die Rolle-zu-Rolle-Beschichtung von flexiblen Materialien bis zu einer Beschichtungsbreite von 200 mm |
| LB 9 | Laborversuchsanlage für die Beschichtung von flexiblen Materialien, ausgestattet mit verschiedenen Vakuumtechnologien |
| atmoFlex 1250 |
Rolle-zu-Rolle Pilotbandbeschichtungsanlage zur Entwicklung und Produktion von Mehrfachschichtsystemen aus Lack- und Vakuumschichten (bis zu einer Beschichtungsbreite von 1200 mm) |
| FOSA LabX 330 Glass | Beschichtungsanlage für flexible Substrate (in Zusammenarbeit mit VON ARDENNE GmbH) |
Beschichtung von metallischen Platten und Bändern
| MAXI |
In-line Beschichtungsanlage für Platten (500 × 500 mm²) und metallische Bänder (300 mm breit) |
| EMO | Vakuumbeschichtungsanlage mit Hochleistungselektronenstrahlausrüstung (100 kW) zur Bedampfung und zum Umschmelzen unter aufskalierbaren Bedingungen |
| VERSA | Vakuumbeschichtungsanlage mit Hochleistungselektronenstrahlausrüstung (300 kW) zur plasmaaktivierten Bedampfung unter aufskalierbaren Bedingungen |
| LB 4 | |
| CLAIRE |
In-line Anlage zur nasschemischen Oberflächenbehandlung vor der Beschichtung |
| WILMA | Umwickel- und Inspektionsanlage |
Elektronenstrahl-Anwendungen
| REAMODE | Versuchsanlage zur Modifizierung von organischen Materialien mit beschleunigten Elektronen |
| ERICA |
Clusteranlage für komplexe Beschichtungs- und Strukturierungsprozesse im Vakuum |
| EFFI |
Elektronenstrahlanlage zur Oberflächenstrukturierung sowie für Fein- und Mikrofügeprozesse |
| CLAIRE | in-line Anlage zur nasschemischen Oberflächenbehandlung vor der Beschichtung |
Präzisionsbeschichtung
| CLUSTER 300 |
Versuchsanlage für das stationäre Magnetron-Sputtern von Flachsubstraten mit einem Durchmesser bis zu 300 mm |
| PreSensLine | In-Line Sputter-Anlage für die Präzisionsbeschichtung großer Substrate |
Mikrodisplays und Sensorik
| 300 m2 Reinraum Klasse 10 |
| Ätzen / Sputter Clustex 200 | Leybold Optics |
| Spin coating EVG120 | EVG |
| Stickstoff Ofen MB-OV | Mbraun |
| Ätzen, Abscheidung durch thermisches Verdampfen, Elektronenstrahl, Vitex/Barix™ Dünnschichtverkapselung, Helisys | ANS Korea |
| Komplett automatisiertes Wafer-Bonden-System Hercules | EVG |
| Fotolithographie (Orthogonal, Nanoimprint). EVG IQ + Brewer automatische Prozessierungsstation |
| Waferprober Pegasus PA200 | Wentworth |
| Ellipsometer M-2000U | J. A. Woollam |
Reinraum
Das Fraunhofer FEP nutzt einen modernen Klasse 10 Reinraum mit über 900 m², der seit 2008 ausgebaut wurde, um den Anforderungen weiterer Anlagentechnik gerecht zu werden. Damit steht eine in Europa einzigartige Infrastruktur für die Forschung, Entwicklung und Pilotfertigung organischer Bauelemente zur Verfügung, die mit freundlicher Unterstützung des EFRE gefördert wurde.
Am Fraunhofer FEP stehen folgende Linien zur Verfügung:
Prototyp-Linie: starre/flexible Substrate
| Substratgröße | bis zu 200 x 200 mm² |
|---|---|
| Substrattyp | Glas oder Folie |
Pilotlinie: starre Substrate
| Substratgröße | 370 x 470 mm² (Generation 2) |
|---|---|
| Substrattyp | Glas |
Pilotlinie: OLED-on-CMOS
| Substratgröße | 150 oder 200 mm Durchmesser |
|---|---|
| Substrattyp | Silizium / CMOS wafer |
| Durchlaufzeit | 60 Minuten |
| Pilot max. volume substrates / year | 6000 |
| Pilot max. volume area | - |
| Prototyp / Technologie Forschung & Entwicklung | Bereit |
Rolle-zu-Rolle
| Substratgröße | bis zu 300 mm Breite |
|---|---|
| Substrattyp | Metallband und Kunststofffolie |
Einige Anlagen wurden gefördert aus Mitteln der Europäischen Union und des Freistaates Sachsen.
