CLUSTER 300

Markantes Grundmerkmal

• Sputteranlage
• Vierkammeranlage (Schleusenkammer, Handlerkammer und 2 Prozesskammern)
• kohlenwasserstofffreies Vakuum
• Reinraumbedingungen für Substrathandling
• Eignung für korrosive Gase einschließlich reinen Fluors
• Vollautomatische Prozesssteuerung

Typische Substrate

• bis 300 mm Durchmesser

Aufgabenspektrum

• Entwicklung von Magnetron-Sputterquellen
• Entwicklung von reaktiven Sputterprozessen
• Entwicklung von Schichtsystemen für Anwendungen in
• Optik
• Elektronik
• Sensortechnik
• Beschichtung von Kundensubstraten
• Test von Hardware-Komponenten