
Auf Basis von Sputtertechnologien und der Hochrate-PECVD entwickeln wir Prozesse, um optische, elektrische, akustisch oder magnetisch wirksame Schichten und Schichtsysteme mit effizienten Beschichtungsraten homogen und präzise auf große Flächen aufzubringen.
Besonders für Anwendungen in den Bereichen Optik, Elektronik und Sensorik, Solarenergie oder Medizintechnik werden gleichmäßige Beschichtungen hoher Qualität und mit geringer Fehlstellenzahl auf großen Flächen bzw. in hoher Stückzahl benötigt. Unsere langzeitstabilen Sputterprozesse eignen sich hervorragend für die Herstellung dieser Präzisionsschichtsysteme. Wir besitzen langjährige Erfahrung bei der Einstellung der Reaktivgaszufuhr, der Prozessregelung sowie der in-situ-Qualitätskontrolle und können somit auch reaktive Prozesse gut reproduzierbar durchführen.
In unserer Versuchsanlage CLUSTER 300 können wir stationär Substrate bis zu einem Durchmesser von 12‘‘ (300 mm) beschichten. In den Beschichtungskammern befinden sich Doppel-Ring-Magnetrons. Durch Überlagerung ihrer inneren und äußeren Entladungsringe können homogene Schichtdicken- und Schichteigenschaftsverteilungen erzielt werden. Zudem können Gradientschichtsysteme abgeschieden werden, die für bestimmte Anwendungen bessere Eigenschaften als Mehrlagenschichtsysteme aufweisen.
In der Clusteranlage können zusätzlich Metalle, Legierungen, Mehrlagen-Schichtsysteme, Verbindungen und Mischsysteme aus Metallen und organischen Verbindungen auf Glas, Silizium-Wafern, Metalloberflächen und Folie mit hoher Prozesssicherheit aufgebracht werden.
Vierkammeranlage (Schleusenkammer, Transferkammer und 2 Prozesskammern) | |
Arbeitsdruck 2 × 10-7 mbar | |
Kohlenwasserstofffreies Vakuum | |
Reinraumbedingungen für Substrathandling | |
Substratdurchmesser bis 12“ (300 mm) / Substratdicke bis 20 mm | |
Sputterquellen: Doppel-Ring-Magnetron DRM 400 | |
Substratvorbehandlung: HF-Plasma-Ätzen | |
Abscheidebedingungen: HF-Substratbias, Substratkühlung und -heizung (10 ... 500 °C) | |
Eignung für korrosive und explosive Gase einschließlich Fluor und Silan | |
Vollautomatische Prozesssteuerung |