Anwendung
Die Verwendung von kleinskaligen Si-Partikeln als Anoden_material stellt eine alternative Möglichkeit dar, die auftretenden Spannungen beim Zyklieren zu minimieren. Eine Kohlenstoffbeschichtung auf der Partikeloberfläche unterstützt zudem die elektronische Leitfähigkeit, stabilisiert das Silizium und unterbindet den Verlust von Lithium und Elektrolyt durch eine fortgesetzte SEI Bildung. Das Fraunhofer FEP verfolgt den Ansatz, die Si-Partikeloberfläche im arcPECVD-Prozess mit Kohlenstoff zu mit hoher Abscheiderate beschichten.
Entwicklungsparameter
- Beschichtungsrate (≥ 35 nm/s auf Flachsubstraten bereits demonstriert)
- Pulverförderung im Vakuum eingerichtet
- Variation der Schichtdicke durch Manipulation von Einwirkdauer und Partikelverteilung möglich
Technologie
- Durch Einwirkung eines intensiven Hohlkathodenplasmas werden Precursoren (z. B. C2H2) in kompakte Kohlenstoffbeschichtungen umgesetzt
- Das Pulver wird mit einem speziellen Fördermechanismus durch die Einwirkzone des Plasmas geführt und anschließend wieder aufgefangen
Vorteile
- Allseitig Beschichtung der Partikel mit hohen Durchsätzen
- Hohe Freiheitsgrade hinsichtlich der Größenverteilung der Partikel
- Flexibilität des Schichtmaterials durch Nutzung verschiedener Precursoren